N. Sengouga: шукати на сайті Z-Library

Найбільша колекція наукових статей у сіті. 70,000,000+ безкоштовних статей.

Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024

Z-Library - одна з найбільших онлайн-бібліотек у світі, в якій зберігається більше 17,000,000 книг та 84,837,000 статей. Ми намагаємось зробити літературу доступною кожному. Сьогодні (15 вересня 2024) ми відкриваємо додатковий збір пожертвувань на підтримку та розвиток проекту.

Також БЕЗЛІМТНІ завантаження (протягом 31 дня після завершення пожертвування) доступні для ВСІХ користувачів, які підтримають проект в період збору коштів до 1 жовтня 2024.

Про збір коштів Детальніше

Підтримати

Книги
Статті (66)
Найпопулярніші
Перелік
- Перелік
- Таблиця

Electron and hole transport layers optimization by numerical simulation of a perovskite solar cell

Azri, Faiza, Meftah, Afak, Sengouga, Nouredine, Meftah, Amjad

Журнал:

Solar Energy

Рік:

2019

Мова:

english

Файл:

PDF, 2.09 MB

english, 2019

Simulation of the effect of deep defects created by Hydrogen on the performance of amorphous indium gallium zinc oxide thin film transistor (a-IGZO TFT)

Labed, Mohammed, Sengouga, Nouredine, Meftah, Afak

Журнал:

Materials Research Express

Рік:

2019

Файл:

PDF, 641 KB

2019

Modelling of semiconductor diodes made of high defect concentration, irradiated, high resistivity and semi-insulating material: The capacitance–voltage characteristics

A. Saadoune, L. Dehimi, N. Sengouga, M. McPherson, B.K. Jones

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2006

Мова:

english

Файл:

PDF, 621 KB

english, 2006

2D study of AlGaN/AlN/GaN/AlGaN HEMTs’ response to traps

Hezabra, A., Abdeslam, N. A., Sengouga, N., Yagoub, M. C. E.

Журнал:

Journal of Semiconductors

Рік:

2019

Мова:

english

Файл:

PDF, 426 KB

english, 2019

Backgating effects in GaAs FETs with a channel-semi-insulating substrate boundary

N. Sengouga, B.K. Jones

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

1995

Мова:

english

Файл:

PDF, 947 KB

english, 1995

A 0.4 dB noise figure wideband low-noise amplifier using a novel InGaAs/InAlAs/InP device

Z. Hamaizia, N. Sengouga, M. Missous, M.C.E. Yagoub

Журнал:

Materials Science in Semiconductor Processing

Рік:

2011

Мова:

english

Файл:

PDF, 520 KB

english, 2011

Modeling of the transient response of substrate traps to the substrate voltage in GaAs FETs

Sengouga, N., Jones, B.K.

Журнал:

IEEE Transactions on Electron Devices

Рік:

1993

Мова:

english

Файл:

PDF, 827 KB

english, 1993

Modeling of Semiconductor Detectors Made of Defect-Engineered Silicon: The Effective Space Charge Density

Saadoune, A., Moloi, S. J., Bekhouche, K., Dehimi, L., McPherson, M., Sengouga, N., Jones, B. K.

Журнал:

IEEE Transactions on Device and Materials Reliability

Рік:

2013

Мова:

english

Файл:

PDF, 434 KB

english, 2013

Design of a wideband low noise amplifier for radio-astronomy applications

Hamaizia, Z, Sengouga, N, Missous, M, Yagoub, M C E

Журнал:

Journal of Instrumentation

Рік:

2010

Мова:

english

Файл:

PDF, 492 KB

english, 2010

Anisotropic singular perturbations of variational inequalities

Chipot, Michel, Guesmia, Senoussi, Sengouga, Abdelmouhcene

Журнал:

Calculus of Variations and Partial Differential Equations

Рік:

2018

Мова:

english

Файл:

PDF, 636 KB

english, 2018

Semi-Analytical Simulation and Optimization of AlGaAs/GaAs p-i-n Quantum Well Solar Cell

Laznek, Samira, Meftah, Afak, Meftah, Amjad, Sengouga, Nouredine

Журнал:

Applied Solar Energy

Рік:

2018

Мова:

english

Файл:

PDF, 800 KB

english, 2018

Electron and hole transport layers optimization by numerical simulation of a perovskite solar cell

Azri, Faiza, Meftah, Afak, Sengouga, Nouredine, Meftah, Amjad

Журнал:

Solar Energy

Рік:

2019

Файл:

PDF, 2.09 MB

2019

2D study of AlGaN/AlN/GaN/AlGaN HEMTs’ response to traps

Hezabra, A., Abdeslam, N. A., Sengouga, N., Yagoub, M. C. E.

Журнал:

Journal of Semiconductors

Рік:

2019

Файл:

PDF, 426 KB

2019

Effects of high- k gate dielectrics on the electrical performance and reliability of an amorphous indium–tin–zinc–oxide thin film transistor (a-ITZO TFT): an analytical survey

Taouririt, Taki Eddine, Meftah, Afak, Sengouga, Nouredine, Adaika, Marwa, Chala, Slimane, Meftah, Amjad

Журнал:

Nanoscale

Рік:

2019

Файл:

PDF, 8.03 MB

2019

A Novel Parameter Identification Approach for C–V–T Characteristics of Multi-Quantum Wells Schottky Diode Using Ant Lion Optimizer

Filali, W., Garoudja, E., Oussalah, S., Mekheldi, M., Sengouga, N., Henini, M.

Журнал:

Russian Microelectronics

Рік:

2019

Файл:

PDF, 1.17 MB

2019

Effect of Annealing on the Dark and Illuminated I(Vâ) Characterization of a ZnO:Ga|Cu2O Hetero-Junction Prepared by Ultrasonic Spray System

Trir, H., Radjehi, L., Sengouga, N., Tibermacine, T., Arab, L., Filali, W., Abdelkader, D., Attaf, N.

Журнал:

Semiconductors

Рік:

2020

Файл:

PDF, 1.34 MB

2020

Modeling the transient response of channel-substrate interface traps to gate voltage steps in GaAs FETs

N. Sengouga, B.K. Jones

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

1993

Мова:

english

Файл:

PDF, 775 KB

english, 1993

Modelling of semi-conductor diodes made of high defect concentration, irradiated, high resistivity and semi-insulating material: the internal field

L. Dehimi, N. Sengouga, B.K. Jones

Журнал:

Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment

Рік:

2004

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.34 MB

english, 2004

Modelling of semi-conductor diodes made of high defect concentration, irradiated, high resistivity and semi-insulating material: the current–voltage characteristics

L. Dehimi, N. Sengouga, B.K. Jones

Журнал:

Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment

Рік:

2004

Мова:

english

Файл:

PDF, 485 KB

english, 2004

Anisotropic singular perturbations of hyperbolic problems

Senoussi Guesmia, Abdelmouhcene Sengouga

Журнал:

Applied Mathematics and Computation

Рік:

2011

Мова:

english

Файл:

PDF, 312 KB

english, 2011

Detailed numerical simulation of the effect of defects created by electron irradiation on the performance degradation of a p+–n–n+ GaAs solar cell

A.F. Meftah, N. Sengouga, A.M. Meftah, A. Belghachi

Журнал:

Renewable Energy

Рік:

2009

Мова:

english

Файл:

PDF, 194 KB

english, 2009

Numerical simulation of the effect of the Al molar fraction and thickness of an AlxGa1−xAs window on the sensitivity of a p+–n–n+ GaAs solar cell to 1 MeV electron irradiation

A.F. Meftah, N. Sengouga, A.M. Meftah, S. Khelifi

Журнал:

Renewable Energy

Рік:

2009

Мова:

english

Файл:

PDF, 449 KB

english, 2009

Dependence of backgating on the type of deep centres in the substrate of GaAs FETs

Nouredine Sengouga, Noura A. Abdeslam

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2008

Мова:

english

Файл:

PDF, 195 KB

english, 2008

Singular perturbations of some nonlinear problems

M. Chipot, S. Guesmia, A. Sengouga

Журнал:

Journal of Mathematical Sciences

Рік:

2011

Мова:

english

Файл:

PDF, 223 KB

english, 2011

The AlxGa1−xAs window composition effect on the hardness improvement of a p+–n–n+GaAs solar cell exposed to the electron irradiation

AF. Meftah, AM. Meftah, N. Sengouga, S. Khelifi

Журнал:

Energy Conversion and Management

Рік:

2010

Мова:

english

Файл:

PDF, 333 KB

english, 2010

[IEEE 2012 25th IEEE Canadian Conference on Electrical and Computer Engineering (CCECE) - Montreal, QC (2012.4.29-2012.5.2)] 2012 25th IEEE Canadian Conference on Electrical and Computer Engineering (CCECE) - Small-signal time-domain physical/electrical fet modeling approach

Abdeslam, N. A., Asadi, S., Sengouga, N., Yagoub, M. C. E.

Рік:

2012

Мова:

english

Файл:

PDF, 727 KB

english, 2012

Irradiation effect on the electrical characteristics of an AlGaAs/GaAs based solar cell: Comparison between electron and proton irradiation by numerical simulation

Laiadi, W., Meftah, Af., Sengouga, N., Meftah, Am.

Журнал:

Superlattices and Microstructures

Рік:

2013

Мова:

english

Файл:

PDF, 337 KB

english, 2013

[IEEE 2010 XIth International Workshop on Symbolic and Numerical Methods, Modeling and Applications to Circuit Design (SM2ACD) - Gammarth, Tunisia (2010.10.4-2010.10.6)] 2010 XIth International Workshop on Symbolic and Numerical Methods, Modeling and Applications to Circuit Design (SM2ACD) - Design of a wideband low noise amplifier for radio-astronomy applications

Hamaizia, Zahra, Sengouga, Nouredine, Yagoub, Mustapha C.E.

Рік:

2010

Мова:

english

Файл:

PDF, 731 KB

english, 2010

Deep traps and temperature effects on the capacitance of p-type Si-doped GaAs Schottky diodes on (211) and (311) oriented GaAs substrates

Boumaraf, R., Sengouga, N., Mari, R.H., Meftah, Af., Aziz, M., Jameel, Dler, Al Saqri, Noor, Taylor, D., Henini, M.

Журнал:

Superlattices and Microstructures

Рік:

2014

Мова:

english

Файл:

PDF, 631 KB

english, 2014

Numerical simulation of the response of substrate traps to a voltage applied to the gate of a gallium arsenide field effect transistor

Sengouga, N., Meftah, Af., Meftah, Am., Henini, M.

Журнал:

Materials Science in Semiconductor Processing

Рік:

2014

Мова:

english

Файл:

PDF, 548 KB

english, 2014

Numerical Simulation of the Type Inversion in n+-p-p+ Si Solar Cells, Used for Space Applications, under 1 MeV Electron Irradiation

Hamache, A., Sengouga, N., Meftah, Af.

Журнал:

Energy Procedia

Рік:

2014

Мова:

english

Файл:

PDF, 372 KB

english, 2014

[IEEE 2012 6th International Conference on Sciences of Electronic, Technologies of Information and Telecommunications (SETIT) - Sousse, Tunisia (2012.03.21-2012.03.24)] 2012 6th International Conference on Sciences of Electronics, Technologies of Information and Telecommunications (SETIT) - L-band low noise amplifier using a novel InGaAs/InAlAs/InP device

Hamaizia, Z., Sengouga, N., Missous, M., Yagoub, M. C. E.

Рік:

2012

Мова:

english

Файл:

PDF, 528 KB

english, 2012

[IEEE 2009 IEEE Nuclear Science Symposium and Medical Imaging Conference (NSS/MIC 2009) - Orlando, FL (2009.10.24-2009.11.1)] 2009 IEEE Nuclear Science Symposium Conference Record (NSS/MIC) - Comparison of measurements of Charge Transfer Inefficiencies in a CCD with high-speed column parallel readout

Sopczak, A., Aoulmit, S., Bekhouche, K., Bowdery, C., Buttar, C., Damerell, C., Djendaoui, D., Dehimi, L., Rui Gao,, Greenshaw, T., Koziel, M., Maneuski, D., Nomerotski, A., Sengouga, N., Stefanov, K

Рік:

2009

Мова:

english

Файл:

PDF, 474 KB

english, 2009

Numerical simulation of the effect of gold doping on the resistance to neutron irradiation of silicon diodes

Bekhouche, K., Sengouga, N., Jones, B. K.

Журнал:

Journal of Semiconductors

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 407 KB

english, 2015

Computer modelling and analysis of the photodegradation effect in a-Si:H p—i—n solar cell

Bouhdjar, A.F, Ayat, L., Meftah, AM., Sengouga, N., Meftah, AF.

Журнал:

Journal of Semiconductors

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 720 KB

english, 2015

Modeling the effect of deep traps on the capacitance–voltage characteristics of p-type Si-doped GaAs Schottky diodes grown on high index GaAs substrates

Sengouga, Nouredine, Boumaraf, Rami, Mari, Riaz H., Meftah, Afak, Jameel, Dler, Al Saqri, Noor, Azziz, Mohsin, Taylor, David, Henini, Mohamed

Журнал:

Materials Science in Semiconductor Processing

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.11 MB

english, 2015

Numerical simulation of bias and photo stress on indium–gallium–zinc-oxide thin film transistors

Adaika, M., Meftah, Af., Sengouga, N., Henini, M.

Журнал:

Vacuum

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.67 MB

english, 2015

S-band low noise amplifier using 1 μm InGaAs/InAlAs/InP pHEMT

Hamaizia, Z., Sengouga, N., Yagoub, M. C. E., Missous, M.

Журнал:

Journal of Semiconductors

Рік:

2012

Мова:

english

Файл:

PDF, 555 KB

english, 2012

Modeling the effect of defects on the performance of an n-CdO/p-Si solar cell

Chala, S., Sengouga, N., Yakuphanoglu, F.

Журнал:

Vacuum

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 932 KB

english, 2015

Numerical simulation of the effect of the free carrier motilities on light-soaked a-Si:H p−i−n solar cell

Ayat, L., Bouhdjar, A. F., Meftah, AF., Sengouga, N.

Журнал:

Journal of Semiconductors

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.24 MB

english, 2015

Numerical simulation of the effect of recombination centres and traps created by electron irradiation on the performance degradation of GaAs solar cells

A. F. Meftah, N. Sengouga, A. Belghachi, A. M. Meftah

Рік:

2009

Мова:

english

Файл:

PDF, 451 KB

english, 2009

Modeling the effect of 1MeV electron irradiation on the performance of n+–p–p+ silicon space solar cells

Hamache, Abdelghani, Sengouga, Nouredine, Meftah, Afak, Henini, Mohamed

Журнал:

Radiation Physics and Chemistry

Рік:

2016

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.79 MB

english, 2016

[IEEE 2000 International Semiconductor Conference. 23rd Edition. CAS 2000 Proceedings - Sinaia, Romania (10-14 Oct. 2000)] 2000 International Semiconductor Conference. 23rd Edition. CAS 2000 Proceedings (Cat. No.00TH8486) - Relaxation semiconductor diodes: a practical review

Jones, B.K., Sengouga, N., Dehimi, L.

Рік:

2000

Мова:

english

Файл:

PDF, 363 KB

english, 2000

Inhomogeneous barrier height effect on the current–voltage characteristics of an Au/n-InP Schottky diode

Zeghdar, Kamal, Dehimi, Lakhdar, Saadoune, Achour, Sengouga, Nouredine

Журнал:

Journal of Semiconductors

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 521 KB

english, 2015

Optical characterization of a-IGZO thin film for simulation of a-IGZO(n)/µ-Si(p) heterojunction solar cell

Azri, F., Labed, M., Meftah, A. F., Sengouga, N., Meftah, A. M.

Журнал:

Optical and Quantum Electronics

Рік:

2016

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.30 MB

english, 2016

Simulation of double junction In 0.46 Ga 0.54 N/Si tandem solar cell

Benaicha, M., Dehimi, L., Sengouga, Nouredine

Журнал:

Journal of Semiconductors

Рік:

2017

Мова:

english

Файл:

PDF, 504 KB

english, 2017

Characterisation of temperature dependent parameters of multi-quantum well (MQW) Ti/Au/n-AlGaAs/n-GaAs/n-AlGaAs Schottky diodes

Filali, Walid, Sengouga, Nouredine, Oussalah, Slimane, Mari, Riaz H., Jameel, Dler, Al Saqri, Noor Alhuda, Aziz, Mohsin, Taylor, David, Henini, Mohamed

Журнал:

Superlattices and Microstructures

Рік:

2017

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.02 MB

english, 2017

Observability and Controllability of the 1-D Wave Equation in Domains with Moving Boundary

Sengouga, Abdelmouhcene

Журнал:

Acta Applicandae Mathematicae

Рік:

2018

Мова:

english

Файл:

PDF, 733 KB

english, 2018

Simulation of effects of emitter and collector widths on performance of silicon–germanium (SiGe) heterojunction bipolar transistors (HBTs)

Khadir, A., Sengouga, N., Kouzou, A., Abdelhafidi, M. K.

Журнал:

Journal of Computational Electronics

Рік:

2018

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.64 MB

english, 2018

Observability of the 1-D Wave Equation with Mixed Boundary Conditions in a Non-cylindrical Domain

Sengouga, Abdelmouhcene

Журнал:

Mediterranean Journal of Mathematics

Рік:

2018

Мова:

english

Файл:

PDF, 639 KB

english, 2018